Perusahaan akan berkolaborasi untuk memenuhi permintaan HBM4 terkemuka di industri untuk GPU AMD Instinct MI455X GPU serta solusi DDR5 generasi berikutnya untuk prosesor AMD EPYC dan platform AMD Helios
SEOUL, South Korea and SANTA CLARA, California – 30 Maret 2026– Samsung Electronics hari ini mengumumkan telah menandatangani Memorandum of Understanding (MOU) dengan AMD untuk perluas kolaborasi strategis perusahaan di bidang teknologi memori AI dan komputasi generasi berikutnya.
Upacara penandatanganan diadakan di kompleks manufaktur chip paling canggih milik Samsung di Pyeongtaek, Korea, dan dihadiri oleh Lisa Su, Chair and CEO AMD, serta Young Hyun Jun, Vice Chairman & CEO Samsung Electronics.
“Samsung dan AMD memiliki komitmen yang sama dalam memajukan komputasi AI, dan kesepakatan ini mencerminkan semakin luasnya kolaborasi kami,” ujar Young Hyun Jun, Vice Chairman & CEO Samsung Electronics.
“Dari HBM4 terdepan di industri dan arsitektur memori generasi berikutnya hingga teknologi canggih, Samsung berada pada posisi unik untuk menghadirkan kemampuan dan pencapaian yang mendukung roadmap AI AMD yang terus berkembang.”
“Menggerakkan infrastruktur AI generasi berikutnya membutuhkan kolaborasi mendalam di seluruh industri,” kata Lisa Su.
“Kami sangat antusias untuk memperluas kerja sama dengan Samsung, menggabungkan kepemimpinan mereka dalam memori canggih dengan GPU Instinct, CPU EPYC, dan platform skala rak kami. Integrasi di seluruh tumpukan komputasi—dari silikon hingga sistem hingga rak—sangat penting untuk mempercepat inovasi AI yang menghasilkan dampak nyata dalam skala besar.”
Dalam MOU tersebut, Samsung dan AMD akan menyelaraskan pasokan utama HBM4 untuk akselerator AI AMD generasi berikutnya, yaitu GPU AMD Instinct MI455X, serta solusi DRAM canggih untuk CPU AMD EPYC generasi keenam dengan kode “Venice.” Teknologi ini akan mendukung sistem AI generasi berikutnya yang menggabungkan GPU AMD Instinct, CPU AMD EPYC, dan arsitektur skala rak seperti platform AMD Helios.
Samsung dan AMD bekerja sama erat dalam teknologi memori canggih untuk beban kerja AI dan data center. Seiring bandwidth memori dan efisiensi daya menjadi semakin krusial terhadap performa sistem, kolaborasi ini akan membantu menghadirkan infrastruktur AI yang lebih optimal bagi pelanggan.
Sebagai yang pertama di industri yang memasuki produksi massal, HBM4 Samsung dibangun menggunakan proses DRAM kelas 10 nanometer (nm) generasi keenam paling canggih (1c) serta base die logika 4nm, dengan kecepatan pemrosesan hingga 13 gigabits-per-second (Gbps) dan bandwidth maksimum 3,3 terabytes-per-second (TB/s) yang melampaui standar industri.
Dengan performa, keandalan, dan efisiensi energi HBM4 Samsung yang terdepan di industri, GPU AMD Instinct MI455X diharapkan menjadi solusi optimal untuk sistem berkinerja tinggi yang menangani pelatihan dan inferensi model AI.
GPU MI455X akan menjadi komponen kunci dalam arsitektur skala rak AMD Helios, yang dirancang untuk memberikan performa dan skalabilitas yang dibutuhkan untuk infrastruktur AI generasi berikutnya.
Sebagai bagian dari kolaborasi mereka, Samsung dan AMD juga akan bekerja sama untuk memori DDR5 berkinerja tinggi yang dioptimalkan untuk CPU AMD EPYC generasi keenam. Kerjasama tersebut bertujuan menghadirkan solusi memori DDR5 terdepan di industri untuk sistem yang dibangun di atas arsitektur skala rak AMD Helios.
Kedua perusahaan juga akan membahas peluang kerja sama foundry, di mana Samsung akan menyediakan layanan foundry untuk produk AMD generasi berikutnya.
Samsung dan AMD telah berkolaborasi selama hampir dua dekade dalam bidang grafis, mobile, dan teknologi komputasi, termasuk peran Samsung sebagai mitra utama HBM3E bagi AMD, yang mendukung akselerator AI terbaru AMD Instinct MI350X dan MI355X.
